应用范围:化合物半导体、功率器件、MEMS、射频集成电路、LED、科研项目、光学器件
主要特点:
设备特点:
1、占地小、稳定性高、操作与维护方便
2、自主可控的技术方案,自主开发的软件系统,充分满足定制化要求
3、满足8寸及以下晶圆需求,可涂3~20000CP光刻胶
4、控制精度高,Ether CAT 通讯,高精度摆臂及传输机构,实时控制解决方案
主要参数:
| 主要参数 | 晶圆尺寸(mm) | 50-300mm |
配置 | 匀胶+显影 | |
适用工艺 | g-Iine、 i- Iine、 PI | |
应用领域 | Compound semiconductor、MOSFET/IGBT Scientific Research、RF-IC、 MEMS、 LED、 OPTICS | |
| 衬底材料 | Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTa03、Li3P04 | |
匀胶胶厚均匀性(1-200CP) | 片内≤±1%,片间≤±1% | |
匀胶胶厚均匀性(200-1500CP) | 片内≤±2%,片间≤+2% | |
匀胶胶厚均匀性(1500-7000CP) | 片内≤±3%,片间≤±3% | |
显影线条均匀性(≥1um) | 片内≤±1%,片间≤±1% |
