随着“中国制造2025”的持续推动,中国半导体行业对国产激光切割技术有着更高的要求,推动其朝着高效率、高精度、高质量方向发展。
大族半导体凭借丰富的行业工艺经验,不断探索激光切割应用方案,随着核心技术的提升及客户需求多元化,迭代推出最新DA100激光切割系统(以下简称DA100)。
DA100是基于Ablation工艺原理进行晶圆切割分离的系统,可对晶圆进行表切(切深≤20μm,切宽可定制),半切(切深≤ 100μm,切宽≤20μm),全切(切深≤200μm,切宽≤30μm)三种分离制程,该系统有如下主要特点:
✦ 从源头及加工过程中良好地抑制粉尘、热影响、回熔、崩边等对晶圆品质造成影响的不利因素,极大提升产品的良品率。
✦ 进一步提升加工能力,相较于传统切割能力,可应对200μm厚度以内的晶圆产品(不同材质切割效果会存在差异)。
✦ 可选多达5套光路系统方案,应对不同材料的分离工艺。
设备参数
切割原理
激光加工原理:利用激光与材料相互作用产生的物理现象,包括热学效应与力学效应进行加工。随着激光功率密度的增加,材料分别经历加热、熔化、汽化过程。
工艺流程
支持高精度正背切功能,可应对厚度更大产品。
技术优势
✦涂覆品质
涂覆均匀,能解决切割道胶体沉积不完整,芯片上残留气泡等问题,切割清洗后无污染。
✦修边工艺
可将回熔高度清理至≤3μm,通过特殊工艺可将回溶高度清理至更低。
✦ 切割能力
可应对各种小尺寸晶粒切割需求(以100 μm thick GaAs产品切割效果为例)。
产品信息:
Wafer Size: 6’’
Wafer thickness:100μm thick GaAs
Street width:50μm
Street groove depth:15μm
Die pitch:180*180μm
Dicing width: 16±1μm
✦ 视觉系统
高清下CCD图像系统优化后分辨率可达0.8μm/pix,可调焦;防止正背切错位情况出现。
✦ SEMI认证
通过半导体设备SEMI认证评估(CE SEMI-S2),使用更安全。
✦ 粉尘处理
5层防护,层层过滤,可应对砷化镓粉尘。
✦ 软件功能
分区,轮次,多通道,多步距切割方式(可应对各种小尺寸晶粒)
MPW晶圆切割方法
残片及多片切割模式
刀痕对位,切透检测功能
多达12步定制化涂胶清洗程序
未来,随着我国激光应用领域的扩展以及应用深度的加深,将对激光切割技术提出更高要求。大族半导体将持续以技术创新、工艺创新、产品创新为驱动,紧盯行业发展趋势,满足客户专业切割需求,助推半导体行业激光应用技术的飞速发展。