随着“中国制造2025”的持续推动，中国半导体行业对国产激光切割技术有着更高的要求，推动其朝着高效率、高精度、高质量方向发展。

大族半导体凭借丰富的行业工艺经验，不断探索激光切割应用方案，随着核心技术的提升及客户需求多元化，迭代推出最新DA100激光切割系统（以下简称DA100）。

DA100是基于Ablation工艺原理进行晶圆切割分离的系统，可对晶圆进行表切（切深≤20μm,切宽可定制），半切（切深≤ 100μm，切宽≤20μm），全切（切深≤200μm，切宽≤30μm）三种分离制程，该系统有如下主要特点：

 设备参数

 切割原理

激光加工原理：利用激光与材料相互作用产生的物理现象，包括热学效应与力学效应进行加工。随着激光功率密度的增加，材料分别经历加热、熔化、汽化过程。

 工艺流程

支持高精度正背切功能，可应对厚度更大产品。

 技术优势

✦涂覆品质

涂覆均匀，能解决切割道胶体沉积不完整，芯片上残留气泡等问题，切割清洗后无污染。

✦修边工艺

可将回熔高度清理至≤3μm，通过特殊工艺可将回溶高度清理至更低。

✦ 切割能力

可应对各种小尺寸晶粒切割需求（以100 μm thick GaAs产品切割效果为例）。

✦ 视觉系统

高清下CCD图像系统优化后分辨率可达0.8μm/pix，可调焦；防止正背切错位情况出现。

✦ SEMI认证

通过半导体设备SEMI认证评估（CE SEMI-S2），使用更安全。

✦ 粉尘处理

5层防护，层层过滤，可应对砷化镓粉尘。

✦ 软件功能

未来，随着我国激光应用领域的扩展以及应用深度的加深，将对激光切割技术提出更高要求。大族半导体将持续以技术创新、工艺创新、产品创新为驱动，紧盯行业发展趋势，满足客户专业切割需求，助推半导体行业激光应用技术的飞速发展。