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设备型号:DSI-S-TC9310
应用范围:第三代半导体SiC晶圆激光内部改质切割,针对SiC功率器件,RF射频器件,GaN-on-SiC等SiC衬底晶圆激光切割。应用于微波射频,消费电子,新能源汽车,电源,充电桩,轨道交通,航空航天,新能源并网等领域。
设备咨询
主要特点:
设备特点:
1、针对SiC材料特性开发出的光源系统,实现高精度的内部改质切割
2、切割速度快,良好的崩边控制能力
3、作业无耗材,加工无材料损失
4、全自动作业,兼容4、6英寸晶圆
5、提供系统解决方案,配套裂片、扩片设备
6、SEMI标准,支持SECS-GEM通信
主要参数:
重复定位精度:±1um
定位精度:±1um
加工效果:
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