碳化硅晶圆改质切割设备

设备型号:DSI-S-TC9310

应用范围:第三代半导体SiC晶圆激光内部改质切割,针对SiC功率器件,RF射频器件,GaN-on-SiC等SiC衬底晶圆激光切割。应用于微波射频,消费电子,新能源汽车,电源,充电桩,轨道交通,航空航天,新能源并网等领域。



主要特点:

设备特点:

1、针对SiC材料特性开发出的光源系统,实现高精度的内部改质切割

2、切割速度快,良好的崩边控制能力

3、作业无耗材,加工无材料损失

4、全自动作业,兼容4、6英寸晶圆

5、提供系统解决方案,配套裂片、扩片设备

6、SEMI标准,支持SECS-GEM通信



主要参数:


主要参数晶圆衬底SiC衬底 
晶圆尺寸4英寸、6英寸
切割厚度50um-500um
切割速度600mm-800mm/s
定位精度

重复定位精度:±1um

定位精度:±1um

传输系统Load port, robot, aligner
长x宽x高2070mm*1420mm*2238mm




加工效果:


1.png   2.png   3.png   4.png


欢迎来电咨询

400-666-4000

TOP