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设备型号:ET12-XS2E2S1A
应用范围:化合物半导体、功率器件、MEMS、先进封装、射频集成电路
设备咨询
主要特点:
设备特点:
1、利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液,可以有效的提高刻蚀均匀性
2、分层式反应腔体设计,可以在同一腔体中喷洒多种化学液,并能有效回收,节约化液
3、叠层控制,占地面积小,最多可配置4个刻蚀单元
主要参数:
片盒数量
2CS&2LP
配置
4 Etch unit
wafer 类型
圆片
H2O2、强酸碱
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