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刻蚀机

设备型号：ET12-XS2E2S1A

应用范围：化合物半导体、功率器件、MEMS、先进封装、射频集成电路


设备咨询



主要特点：

设备特点：

1、利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性

2、分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化液

3、叠层控制，占地面积小，最多可配置4个刻蚀单元



主要参数:


主要参数

片盒数量

2CS&2LP

配置

4 Etch unit

wafer 类型

圆片

wafer 尺寸（mm）50-300
产能（WPH）90
化学药液

H2O2、强酸碱

衬底材料Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTaO3、Li3PO4
适用工艺Wet Etch
干燥模式Spin Dry+N2 Dry



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