设备型号：HSET-S-LA7311
应用范围：对重掺杂碳化硅（SiC）表面沉积的过渡金属进行退火，形成良好的欧姆接触
主要特点：
设备特点：
1、整机模块化设计与集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圆
2、集成自研成熟先进激光整形技术，光斑能量高度均匀、稳定
3、退火后表面均匀、平整，优秀的电学特性及表面形貌特征表现
4、严格控制腔体含氧量，有效控制表面碳析出量和分布
5、配置监控与补偿系统，监测光学能量稳定性和非退火面温度
6、配备EFEM传输系统，整机符合SEMI标准，支持SECS-GEM通信
主要参数:
| 主要参数 | 可加工晶圆尺寸 | 4inch、6inch、8inch |
| 薄片退火 | 支持 | |
| 光斑整形 | 平顶光 | |
| 光斑均匀性 | >95% | |
| 能量稳定性 | ≤1% | |
| 比电阻接触率 | ≤5×10-5Ω.cm2 | |
| 表面温度 | Annealed surface>1500℃,Non-annealed surface<100℃ | |
| 腔体含氧量 | N2/Ar:99.99%,<100ppm@25s | |
| 运动平台精度 | 直线度:±1μm 重复定位精度:±1μm | |
| 晶圆传输 | Automatic transferring(compatible to wafer or wafer/w carrier) |
加工效果：
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