SiC激光退火设备

设备型号:HSET-S-LA7311

应用范围:对重掺杂碳化硅(SiC)表面沉积的过渡金属进行退火,形成良好的欧姆接触



主要特点:

设备特点:

1、整机模块化设计与集成,兼容4、6、8英寸薄片晶圆

2、集成自研成熟先进激光整形技术,光斑能量高度均匀、稳定

3、退火后表面均匀、平整,优秀的电学特性及表面形貌特征表现

4、严格控制腔体含氧量,有效控制表面碳析出量和分布

5、配置监控与补偿系统,监测光学能量稳定性和非退火面温度

6、配备EFEM传输系统,整机符合SEMI标准,支持SECS-GEM通信



主要参数:


主要参数可加工晶圆尺寸4inch、6inch、8inch
薄片退火支持
光斑整形平顶光
光斑均匀性>95%
能量稳定性≤1%
比电阻接触率≤5×10-5Ω.cm2
表面温度Annealed surface>1500℃,Non-annealed surface<100℃
腔体含氧量N2/Ar:99.99%,<100ppm@25s
运动平台精度直线度:±1μm  重复定位精度:±1μm
晶圆传输Automatic transferring(compatible to wafer or wafer/w carrier)




加工效果:


SiC激光退火效果+水印.png   I-V特性曲线+水印.png   退火后的SiC晶圆+.png   退火前的SiC晶圆+.png    



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