设备型号:HSET-S-LA7311
应用范围:对重掺杂碳化硅(SiC)表面沉积的过渡金属进行退火,形成良好的欧姆接触
主要特点:
设备特点:
1、整机模块化设计与集成,兼容4、6、8英寸薄片晶圆
2、集成自研成熟先进激光整形技术,光斑能量高度均匀、稳定
3、退火后表面均匀、平整,优秀的电学特性及表面形貌特征表现
4、严格控制腔体含氧量,有效控制表面碳析出量和分布
5、配置监控与补偿系统,监测光学能量稳定性和非退火面温度
6、配备EFEM传输系统,整机符合SEMI标准,支持SECS-GEM通信
主要参数:
主要参数 | 可加工晶圆尺寸 | 4inch、6inch、8inch |
薄片退火 | 支持 | |
光斑整形 | 平顶光 | |
光斑均匀性 | >95% | |
能量稳定性 | ≤1% | |
比电阻接触率 | ≤5×10-5Ω.cm2 | |
表面温度 | Annealed surface>1500℃,Non-annealed surface<100℃ | |
腔体含氧量 | N2/Ar:99.99%,<100ppm@25s | |
运动平台精度 | 直线度:±1μm 重复定位精度:±1μm | |
晶圆传输 | Automatic transferring(compatible to wafer or wafer/w carrier) |
加工效果: